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沉積系統(tǒng)

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統(tǒng) 原子層沉積設備

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沉積系統(tǒng)：精準構筑薄膜“微結(jié)構”，賦能半導體與新材料創(chuàng)新? 沉積系統(tǒng)：薄膜材料制備的“精密生長工廠”? 探秘化學氣相沉積系統(tǒng)：如何“沉淀”高科技新材料？原子層沉積和磁控濺射的區(qū)別看完本篇你就會對化學氣相沉積系統(tǒng)有更多了解感應耦合電漿蝕刻的控制方法

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環(huán)保,化工,電子/電池

原子層沉積設備（ALD）為一種氣相化學沉積技術。大多數(shù)的ALD反應，將使用兩種化學物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環(huán)的次數(shù)，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統(tǒng)為150~350oC)。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。

厚度均勻度（WIW）：

原子層沉積設備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內(nèi)和均勻度的5％以內(nèi)。

介電常數(shù)和功函數(shù)：

準備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數(shù)和洩漏電流：介電常數(shù)應為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。

原子層沉積設備應用領域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統(tǒng)。納米電子學。納米孔結(jié)構薄膜。光學薄膜。薄膜封裝技術。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結(jié)構具有相同特性之薄膜沉積。薄膜具有高緻密性。前驅(qū)物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載臺加熱到400°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

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